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MOS管各主要参数含义
发布时间:2022-05-12
BVdss：耐压，当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压，随温度升高而升高。
Rds(on)：DS的导通电阻.在特定Vgs电压下（一般4.5V或10V），MOS的DS之间的电阻，随温度升高而升高。
Id：最大漏级持续电流，会随温度的升高而降低。
Idm：最大漏级脉冲电流。
Vgs(th)：开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道（一般取250uA）所需的栅极电压。
Vgs：最大GS电压，一般标称为：20V~25V。
Pd：最大耗散功率，参数变化不超过规定允许值时的最大耗散功率，与结壳热阻以及最大结温相关。
Ear: 重复雪崩击穿能量
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量
Rthj-c: 结壳热阻
Qg: G总充电电量
Qgs: GS充电电量
Qgd: GD充电电量
Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs。
Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd。
Crss: 反向传输电容，Crss=Cgd。
TJ:工作结温
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