无锡市芯途半导体有限公司

公司名称:无锡市芯途半导体有限公司
热线电话:0510-82600580  
工作时间:9:00-16:30







技术文档
MOS管参数详解
发布时间:2015/6/18
参数   含义
Vds DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on) DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻
Id 最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs 最大GS电压
Idm 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系
Pd 最大耗散功率
Tj 最大工作结温,通常为150度和175度
Tstg 最大存储温度
Iar  雪崩电流
Ear 重复雪崩击穿能量
Eas 单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss DS击穿电压
Idss 饱和DS电流,uA级的电流
Igss GS驱动电流,nA级的电流
gfs 跨导
Qg G总充电电量
Qgs GS充电电量
Qgd GD充电电量
Td(on) 导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr 上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off) 关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf 下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间
Ciss 输入电容,Ciss=Cgd + Cgs
Coss 输出电容,Coss=Cds +Cgd
Crss 反向传输电容,Crss=Cgc

首页|企业简介|新闻中心|产品列表|人才招聘|留言反馈|联系我们

无锡市芯途半导体有限公司版权所有  备案号: 苏ICP备15006727号-1 
Copyright © 2013-2015  SI-TECH CO., LTD. All rights reserved.

业务咨询

技术咨询